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DMT10H015LSS-13备选型号: DMT10H014LSS-13

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  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Diodes Incorporated
    DMT10H015LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 8.3A
    19 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    3.5V @ 250μA
    1.2W Ta
    2015
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    16m Ω @ 20A, 10V
    1871pF @ 50V
    33.3nC @ 10V
    100V
    ±20V
    8.3A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMT10H014LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO
    23 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    -
    3V @ 250μA
    8.9A Ta
    2016
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    15m Ω @ 20A, 10V
    1871pF @ 50V
    33.3nC @ 10V
    100V
    ±20V
    8.9A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    Automotive, AEC-Q101
    8
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    R-PDSO-G8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    0.018Ohm
    54A
    100V
    85 mJ
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