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首页 全部分类 DMT10H015LSS-13 vs IRF7854PBF

DMT10H015LSS-13备选型号: IRF7854PBF

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  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT10H015LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 8.3A
    19 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    3.5V @ 250μA
    1.2W Ta
    2015
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    16m Ω @ 20A, 10V
    1871pF @ 50V
    33.3nC @ 10V
    100V
    ±20V
    8.3A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7854PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    4.9V @ 100μA
    1
    2006
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    13.4mOhm @ 10A, 10V
    1620pF @ 25V
    41nC @ 10V
    80V
    ±20V
    10A
    符合RoHS标准
    8-SO
    HEXFET®
    SMD/SMT
    13.4MOhm
    150°C
    -55°C
    2.5A
    2.5W
    9.4 ns
    8.5ns
    8.6 ns
    4.9V
    20V
    80V
    80V
    1.62nF
    65 ns
    13.4mOhm
    13.4 mΩ
    4.9 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    无铅
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