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首页 全部分类 DMT3004LFG-7 vs NTMFS4837NHT1G

DMT3004LFG-7备选型号: NTMFS4837NHT1G

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT3004LFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    10.4A Ta 25A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    4.5m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    2370pF @ 15V
    44nC @ 10V
    30V
    +20V, -16V
    25A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4837NHT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    8
    10.2A Ta 75A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    260
    40
    N-Channel
    5m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    3016pF @ 12V
    23.8nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    16A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    yes
    6
    DUAL
    FLAT
    8
    R-PDSO-F6
    Single
    增强型MOSFET
    5.8W
    DRAIN
    SWITCHING
    19.6ns
    4.7 ns
    20V
    30V
    225A
    无
    无铅
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NTMFS4837NHT1G NTMFS4837NHT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN, 5 Leads MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL 对比