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DMT3006LDK-7备选型号: DMT3006LFG-7
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
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- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN3030823 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN817.1A Ta 46.2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016e4yes活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)未说明未说明N-Channel6.5m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA1320pF @ 15V22.6nC @ 10V30V±20V46.2AROHS3 Compliant---------------
MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI22 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN816A Ta 55.6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3-活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel6m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA1320pF @ 15V22.6nC @ 10V30V±20V55.6AROHS3 CompliantSILICONAutomotive, AEC-Q1015DUAL无铅not_compliantS-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING16A0.01Ohm30V31 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-KANAL POWER MOS | 对比 |
 | IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN | 对比 |
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