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DMT3006LDK-7备选型号: IRFHM8329TRPBF
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN3030823 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN817.1A Ta 46.2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016e4yes活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)未说明未说明N-Channel6.5m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA1320pF @ 15V22.6nC @ 10V30V±20V46.2AROHS3 Compliant----------------------
MOSFET N-CH 30V 16A PQFN39 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN816A Ta 57A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013--不用于新设计1 (Unlimited)EAR99---N-Channel6.1m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 25μA1710pF @ 10V26nC @ 10V-±20V16AROHS3 CompliantSILICONHEXFET®5DUALFLATS-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.6WDRAIN14 nsSWITCHING74ns14 ns1.7V20V30V230A43 mJ无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-KANAL POWER MOS | 对比 |
| IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN | 对比 |
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