DMT3006LFDF-7备选型号: FDMS7678
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
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- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN202022 Weeks6-UDFN Exposed Pad表面贴装表面贴装14.1A Ta2016Automotive, AEC-Q101Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe4活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)未说明未说明N-Channel7m Ω @ 9A, 10V3V @ 250μA1320pF @ 15V22.6nC @ 10V30V±20V14.1AROHS3 Compliant--------------------------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDMS7678 - MOSFET, N-CH, 30V, 8PQFN26 Weeks8-PowerTDFN表面贴装表面贴装17.5A Ta 26A Tc2006PowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)--N-Channel5.5m Ω @ 17.5A, 10V3V @ 250μA2410pF @ 15V39nC @ 10V-±20V17.5AROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 4 days ago)874mgSILICONyes5DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET41WDRAIN10 nsSWITCHING4ns3 ns1.5VMO-240AA20V26A0.0055Ohm30V70A54 mJ1.5 V1.05mm5.1mm6.25mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVTFS4C08NTWG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | 对比 | |
![]() | IRFHM8330TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | 对比 |
| FDMS0312AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/Server | 对比 |




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