ON Semiconductor FDMS0312AS

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

74mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Ta 22A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 36W Tc

Turn Off Delay Time

25 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®, SyncFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5m Ω @ 18A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1815pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

2.3ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

18A

JEDEC-95代码

MO-240AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

22A

漏极-源极导通最大电阻

0.005Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100A

雪崩能量等级（Eas）

33 mJ

高度

1mm

长度

6mm

宽度

5mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant