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首页 全部分类 DMT3011LDT-7 vs IRF8513PBF

DMT3011LDT-7备选型号: IRF8513PBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT3011LDT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    V-DFN3030-8 (Type K)
    8A 10.7A
    -55°C~155°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    155°C
    -55°C
    1.9W
    1.9W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    20mOhm @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    641pF @ 15V
    13.2nC @ 10V
    30V
    10.7A
    641pF
    Standard
    20 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8513PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8-SO
    8A 11A
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    2.4W
    1.5W 2.4W
    2 N-Channel (Dual)
    15.5mOhm @ 8A, 10V
    2.35V @ 25μA
    766pF @ 15V
    8.6nC @ 4.5V
    30V
    8A
    766pF
    逻辑电平门
    15.5 mΩ
    符合RoHS标准
    8
    SMD/SMT
    15.5MOhm
    IRF8513PBF
    Dual
    2.4W
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    23 ns
    22.2mOhm
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    无铅
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