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首页 全部分类 DMT3020LFDB-13 vs IRFTS8342TRPBF

DMT3020LFDB-13备选型号: IRFTS8342TRPBF

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  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT3020LFDB-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    U-DFN2020-6 (Type B)
    7.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    700mW
    700mW
    2 N-Channel (Dual)
    20mOhm @ 9A, 10V
    3V @ 250μA
    393pF @ 15V
    7nC @ 10V
    30V
    7.7A
    393pF
    Standard
    20 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFTS8342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    -
    8.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    19m Ω @ 8.2A, 10V
    2.35V @ 25μA
    560pF @ 25V
    4.8nC @ 4.5V
    -
    8.2A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    6
    SILICON
    6
    EAR99
    19MOhm
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    7.3 ns
    SWITCHING
    15ns
    ±20V
    8.2 ns
    1.8V
    20V
    30V
    80A
    12 ns
    1.8 V
    1.3mm
    3mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
    无铅
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