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首页 全部分类 DMT6004SCT vs IPA029N06NXKSA1

DMT6004SCT备选型号: IPA029N06NXKSA1

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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT6004SCT
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
    19 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    2.3W Ta 113W Tc
    2016
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    N-Channel
    3.65m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 250μA
    4556pF @ 30V
    95.4nC @ 10V
    60V
    ±20V
    100A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA029N06NXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V TO220-3
    13 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    84A Tc
    2012
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    -
    未说明
    N-Channel
    2.9m Ω @ 84A, 10V
    3.3V @ 75μA
    5125pF @ 30V
    66nC @ 10V
    -
    ±20V
    84A
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    OptiMOS™
    3
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    16 ns
    SWITCHING
    无卤素
    15ns
    11 ns
    TO-220AB
    20V
    60V
    0.0029Ohm
    140 mJ
    无铅
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