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首页 全部分类 DMT6010LFG-13 vs BUK9M24-60EX

DMT6010LFG-13备选型号: BUK9M24-60EX

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  • 接通延迟时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Diodes Incorporated
    DMT6010LFG-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 60V P-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    72.007789mg
    13A Ta 30A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2.09nF
    未说明
    未说明
    1
    Single
    5.7 ns
    N-Channel
    7.5m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    2090pF @ 30V
    41.3nC @ 10V
    4.3ns
    ±20V
    9.7 ns
    30A
    20V
    60V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9M24-60EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    -
    -
    32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    21m Ω @ 10A, 10V
    2.1V @ 1mA
    1469pF @ 25V
    12.4nC @ 5V
    -
    ±10V
    -
    32A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    4
    SINGLE
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    60V
    0.024Ohm
    127A
    60V
    23.9 mJ
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