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首页 全部分类 DMT6015LFV-7 vs BUK7M15-60EX

DMT6015LFV-7备选型号: BUK7M15-60EX

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  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Diodes Incorporated
    DMT6015LFV-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    9.5A Ta 35A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    16m Ω @ 10A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1103pF @ 30V
    18.9nC @ 10V
    60V
    ±16V
    35A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    BUK7M15-60EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V MLFPAK
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    -
    42.9A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    15m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 1mA
    1262pF @ 25V
    19.4nC @ 10V
    60V
    ±20V
    42.9A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    4
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    43A
    0.015Ohm
    171A
    60V
    26.5 mJ
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