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首页 全部分类 DMT6015LFV-7 vs IRFR3806TRPBF

DMT6015LFV-7备选型号: IRFR3806TRPBF

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  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
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  • 已出版
  • 终止次数
  • 电阻
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT6015LFV-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    9.5A Ta 35A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    16m Ω @ 10A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1103pF @ 30V
    18.9nC @ 10V
    60V
    ±16V
    35A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR3806TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    260
    30
    N-Channel
    15.8m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 50μA
    1150pF @ 50V
    30nC @ 10V
    -
    ±20V
    43mA
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    HEXFET®
    2005
    2
    15.8MOhm
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    71W
    6.3 ns
    SWITCHING
    40ns
    47 ns
    TO-252AA
    20V
    60V
    2 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    无铅
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