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DMT6016LFDF-7备选型号: DMT5015LFDF-7
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- 晶体管元件材料
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- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN22 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed PadSILICON8.9A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e4活跃1 (Unlimited)6EAR9916mOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)DUAL无铅未说明未说明S-PDSO-N61Single增强型MOSFETDRAIN3.4 nsN-ChannelSWITCHING16m Ω @ 10A, 10V3V @ 250μA864pF @ 30V17nC @ 10V5.2ns±20V6.8 ns8.9A20V60VROHS3 Compliant- MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN22 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed PadSILICON9.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e4活跃1 (Unlimited)6EAR9915mOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)DUAL无铅未说明未说明S-PDSO-N61Single增强型MOSFETDRAIN2.8 nsN-ChannelSWITCHING15m Ω @ 8A, 10V2V @ 250μA902.7pF @ 25V14nC @ 10V5.1ns±16V2.7 ns9.1A16V50VROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMT6016LPS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI | 对比 |
 | DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC | 对比 |
| DMT5015LFDF-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN | 对比 |
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