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DMTH10H010LCT备选型号: IRF100B202

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安装类型
包装/外壳
操作温度
包装
已出版
JESD-609代码
无铅代码
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
ECCN 代码
端子表面处理
峰值回流焊温度（摄氏度）
Reach合规守则
时间@峰值回流温度-最大值(s)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
系列

DMTH10H010LCT

Diodes Incorporated

MOSFET 100V 108A TO220AB

19 Weeks
通孔
通孔
TO-220-3
108A Tc
-55°C~175°C TJ
Tube
2016
e3
yes
活跃
1 (Unlimited)
EAR99
Matte Tin (Sn)
未说明
not_compliant
未说明
N-Channel
9.5m Ω @ 13A, 10V
3.5V @ 250μA
2592pF @ 50V
53.7nC @ 10V
100V
±20V
108A
ROHS3 Compliant
-
IRF100B202

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB

12 Weeks
通孔
通孔
TO-220-3
97A Tc
-55°C~175°C TJ
Tube
2013
-
-
活跃
1 (Unlimited)
EAR99
-
未说明
-
未说明
N-Channel
8.6m Ω @ 58A, 10V
4V @ 150μA
4476pF @ 50V
116nC @ 10V
100V
±20V
97A
ROHS3 Compliant
HEXFET®, StrongIRFET™
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