ON Semiconductor NDPL100N10BG

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V 15V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 110W Tc

Turn Off Delay Time

68 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.2m Ω @ 50A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2950pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

385ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

52 ns

连续放电电流(ID)

100A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0087Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

147 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅