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DMTH4007SPS-13备选型号: BUK9M7R2-40EX
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- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
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- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
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- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI50622 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN815.7A Ta 100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明not_compliant未说明N-Channel7.6m Ω @ 20A, 10V4V @ 250μA2082pF @ 25V41.9nC @ 10V40V±20V100AROHS3 Compliant----------------
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK26 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK33-70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016--活跃1 (Unlimited)-----N-Channel5.8m Ω @ 20A, 10V2.1V @ 1mA2567pF @ 25V19.7nC @ 5V40V±10V70AROHS3 CompliantSILICONAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™4SINGLE鸥翼8AEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.0072Ohm296A40V58.8 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMTH4007LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 | 对比 |
| DMNH4006SPSQ-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET NCH 40V 110A POWERDI | 对比 |
| BUK9M7R2-40EX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-1210, 8-LFPAK33 | MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK | 对比 |
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