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DMTH8012LK3-13备选型号: IPD122N10N3GATMA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- 系列
- 无铅代码
- 无卤素
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 无铅
MOSFET N-CH 80V 50A TO25223 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON50A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2015e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明AEC-Q101R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING16m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA1949pF @ 40V34nC @ 10V80V±20V50A0.016Ohm80A80V147 mJROHS3 Compliant-------
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2 Tab) TO-25218 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON59A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2008-活跃1 (Unlimited)2EAR99--SINGLE鸥翼未说明-未说明-R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING12.2m Ω @ 46A, 10V3.5V @ 46μA2500pF @ 50V35nC @ 10V-±20V59A0.0122Ohm--70 mJROHS3 Compliant3OptiMOS™yes无卤素TO-252AA100V含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD60N10S412ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH TO252-3 | 对比 |
| IPD122N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
| DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252 | 对比 |
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