DN0150BLP4-7B备选型号: DDTC114YLP-7

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 极性
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    50V
    250mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    450mW
    BOTTOM
    260
    40
    DN0150
    3
    Single
    COLLECTOR
    60MHz
    NPN
    NPN
    50V
    100mA
    200 @ 2mA 6V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 100mA
    60MHz
    50V
    60V
    5V
    100mA
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - Pre-Biased 250mW Single (R1/R2)
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UFDFN
    3
    -
    50V
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
    250mW
    BOTTOM
    260
    40
    DDTC114
    3
    Single
    COLLECTOR
    -
    -
    NPN - Pre-Biased
    200mV
    100mA
    180 @ 50mA 5V
    500nA
    200mV @ 5mA, 50mA
    250MHz
    50V
    -
    -
    100mA
    -
    ROHS3 Compliant
    150°C
    -55°C
    NPN
    250MHz
    10 k Ω
    47 k Ω
    470μm
    1mm
    600μm
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DDTC114YLP-7 DDTC114YLP-7 Diodes Incorporated 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 3-UFDFN Bipolar Transistors - Pre-Biased 250mW Single (R1/R2) 对比
2DC4617QLP-7B 2DC4617QLP-7B Diodes Incorporated 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 3-UFDFN Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K 对比