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首页 全部分类 DPG15I200PA vs FES16DTR

DPG15I200PA备选型号: FES16DTR

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 功率耗散
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 最大反向漏电电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 极性
  • 输出电流
  • 峰值反向电流
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • IXYS
    DPG15I200PA
    IXYS
    DIODE GEN PURP 200V 15A TO220AC
    28 Weeks
    TO-220-2
    通孔
    通孔
    2
    2.299997g
    SILICON
    1
    2006
    HiPerFRED™
    Tube
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    150°C
    -55°C
    快速软恢复
    FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE
    8541.10.00.80
    90W
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    1μA @ 200V
    90W
    1.26V @ 15A
    CATHODE
    15A
    80μA
    -55°C~175°C
    240A
    1.25V
    200V
    15A
    1
    35 ns
    200V
    150A
    35 ns
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FES16DTR
    ON Semiconductor
    Rectifiers 16A Reverse Polarity Ultra Fast Recovery
    -
    TO-220-2
    通孔
    通孔
    2
    2.16g
    -
    -
    2001
    -
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150°C
    -65°C
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 200V
    7.81W
    950mV @ 8A
    -
    -
    -
    -65°C~150°C
    250A
    950mV
    200V
    16A
    -
    35 ns
    200V
    250A
    35 ns
    符合RoHS标准
    -
    无铅
    170pF
    200V
    16A
    FES16D
    Reverse
    16A
    10μA
    170pF @ 4V 1MHz
    250A
    200V
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FES16DT FES16DT ON Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 TO-220-2 DIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2L 对比