ON Semiconductor FES16DT
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FES16DT
1807-FES16DT
二极管 - 整流器 - 单
TO-220-2
大陆
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DIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2L
1最小包装量--
FES16DT详情
ON Semiconductor FES16DT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-2
引脚数
2
供应商器件包装
TO-220-2
质量
2.16g
包装
Tube
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
电容量
170pF
电压 - 额定直流
200V
额定电流
16A
基本部件号
FES16D
极性
Standard
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
10μA @ 200V
功率耗散
7.81W
输出电流
16A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
950mV @ 8A
工作温度 - 结点
-65°C~150°C
最大浪涌电流
250A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
200V
平均整流电流(Io)
16A
正向电压
950mV
最大反向电压(DC)
200V
平均整流电流
16A
反向恢复时间
35 ns
峰值反向电流
10μA
最大重复反向电压(Vrrm)
200V
电容@Vr, F
170pF @ 4V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
250A
反向电压
200V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
250A
恢复时间
35 ns
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FES16DT拓展信息
ON Semiconductor
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