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首页 全部分类 DRA5143E0L vs UMT1NTN

DRA5143E0L备选型号: UMT1NTN

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 极性
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 输出电压
  • 增益带宽积
  • 最大集极截止电流
  • 最高频率
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • VCEsat-最大值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Panasonic Electronic Components
    DRA5143E0L
    Panasonic Electronic Components
    Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-85
    85
    50V
    -250mV
    Tape & Reel (TR)
    2010
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    -55°C
    BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 1
    150mW
    DUAL
    FLAT
    未说明
    unknown
    未说明
    DRA5143
    R-PDSO-F3
    PNP
    Single
    SWITCHING
    PNP - Pre-Biased
    -50V
    500nA
    20 @ 5mA 10V
    250mV @ 500μA, 10mA
    50V
    4.7 k Ω
    -100mA
    4.7 k Ω
    800μm
    2mm
    1.25mm
    符合RoHS标准
    -
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  • ROHM Semiconductor
    UMT1NTN
    ROHM Semiconductor
    TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    50V
    500mV
    Tape & Reel (TR)
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    -
    150mW
    -
    鸥翼
    260
    -
    10
    *MT1
    -
    PNP
    Dual
    AMPLIFIER
    2 PNP (Dual)
    50V
    150mA
    120 @ 1mA 6V
    500mV @ 5mA, 50mA
    50V
    -
    -150mA
    -
    900μm
    2mm
    1.25mm
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    150°C TJ
    e2
    yes
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    8541.21.00.75
    -50V
    -150mA
    6
    50V
    140MHz
    100nA ICBO
    140MHz
    140MHz
    60V
    -6V
    0.5 V
    无SVHC
    无
    无铅
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