DRA9A14Y0L备选型号: UNR32AT00L
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 配置
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 已出版
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率 - 最大
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 频率转换
- 无铅
- Transistor PNP 50V 80mA 10K 47K SSMini310 WeeksSC-89, SOT-490表面贴装表面贴装31-250mVTape & Reel (TR)Discontinued1 (Unlimited)3EAR9985°C-40°CBUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.78541.21.00.95125mWDUALFLAT未说明unknown未说明DRA9ASINGLE WITH BUILT-IN RESISTORSWITCHINGPNPPNP - Pre-Biased250mV80mA80 @ 5mA 10V500nA250mV @ 500μA, 10mA50V-6V10 k Ω47 k Ω850μm1.6mm600μm符合RoHS标准--------
- TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3-SOT-723表面贴装表面贴装-50V-Tape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)------100mW---------NPN - Pre-Biased250mV80mA80 @ 5mA 10V500nA250mV @ 300μA, 10mA50V-22 kOhms47 kOhms---符合RoHS标准SSSMini3-F1200450V80mA100mW50V150MHz无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DRA9A24E0L | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-89, SOT-490 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Transistor w/resistr 1.6x1.6mm Flat lead | 对比 |
| RN1107ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-101, SOT-883 | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | 对比 | |
![]() | UNR32AT00L | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SOT-723 | TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3 | 对比 |




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