DS1033Z-12备选型号: SST25VF016B-50-4I-S2AF
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- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 电源电压
- 端子间距
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 功能
- 资历状况
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 家人
- 输出极性
- 逻辑IC类型
- 抽头/步数
- 独立延误次数
- 第一拍延迟
- 可编程延迟线
- 总延迟-(标准值)(td)
- 输入频率-最大(fmax)
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- 系列
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 功能数量
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 同步/异步
- 字长
- 编程电压
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Delay Lines / Timing Elements表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)YES0°C~70°CTube1999e0Obsolete1 (Unlimited)8锡铅2.7V~3.6VDUAL鸥翼3.3V1.27mmDS1033R-PDSO-G8Multiple, NonProgrammable不合格2.7VCMOS/TTLTRUE硅延迟线1312nsNO12 ns41.6667MHz4.9mm1.75mmNon-RoHS Compliant------------------------------------
- MICROCHIP - SST25VF016B-50-4I-S2AF - 16M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)YES-40°C~85°C TATube2010e4活跃3 (168 Hours)8-2.7V~3.6VDUAL-3V1.27mmSST25VF016B---2.7V---------5.4mm-ROHS3 Compliant16 WeeksGold8Non-VolatileSST25yes3A991.B.1.A183.3V3.6VSPI, Serial16Mb 2M x 815mA50MHz8 nsFLASHSPI8b16MX110μs1b16 Mb0.00002ASynchronous8b2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles100HARDWARE/SOFTWARE1.91mm5.4mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 23K256-I/SN | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MICROCHIP - 23K256-I/SN - SRAM, 32 KB, 32K x 8bit, 2.7V to 3.6V, SOIC, 8 Pins | 对比 |
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | MICROCHIP - SST25VF016B-50-4I-S2AF - 16M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8 | 对比 | |
![]() | SN74LVT16244BDGGR | Texas Instruments | 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 | 48-TFSOP (0.240, 6.10mm Width) | IC BUF NON-INVERT 3.6V 48TSSOP | 对比 |





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