DS1258W-150备选型号: 23K256-I/P
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- Reach合规守则
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 操作模式
- 电源电流-最大值
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数
- 无铅代码
- 工作电源电压
- 界面
- 端口的数量
- 电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP通孔40-DIP Module (0.610, 15.495mm)NONon-Volatile0°C~70°C TATube2006e3Obsolete1 (Unlimited)403A991.B.2.A哑光锡8542.32.00.413V~3.6VDUAL未说明13.3V2.54mmnot_compliant150GHz未说明DS1258W40R-XDMA-P40不合格3.6V3.3V3V2Mb 128K x 16ASYNCHRONOUS0.1mANVSRAMParallel16b128KX1616150ns0.00025A2097152 bit150 nsNon-RoHS Compliant含铅----------------------
- MICROCHIP - 23K256-I/P - SRAM, 32 Kbit, 32K x 8bit, 2.7V to 3.6V, DIP, 8 Pins通孔8-DIP (0.300, 7.62mm)-Volatile-40°C~85°C TATube2010e3活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn) - annealed-2.7V~3.6VDUAL-13V2.54mm---23K2568--3.6V-2.7V256Kb 32K x 8--SRAMSPI----0.000004A--ROHS3 Compliant无铅7 Weeks通孔8yes3.3VSPI, Serial110mA20MHz25 ns3-STATE1b256 kbSEPARATESynchronous8b2.7V3.3mm9.27mm6.35mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 23K256-I/P | Microchip Technology | 存储器 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | MICROCHIP - 23K256-I/P - SRAM, 32 Kbit, 32K x 8bit, 2.7V to 3.6V, DIP, 8 Pins | 对比 |
![]() | STK14C88-3WF45 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 32-DIP (0.600, 15.24mm) | IC NVSRAM 256K PARALLEL 32DIP | 对比 |
![]() | 23K256-E/P | Microchip Technology | 存储器 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | IC SRAM 256K SPI 20MHZ 8DIP | 对比 |





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