DS2016R-100 备选型号: CY62256NLL-70SNXC
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- 包装/外壳
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
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- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
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- 内存大小
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- 电源电流-最大值
- 内存格式
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- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
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- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 质量
- 系列
- 无铅代码
- 工作电源电压
- 电压
- 端口的数量
- 电源电流
- 最大电源电流
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 环境温度范围高
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC表面贴装24-SOIC (0.295, 7.50mm Width)YES24Volatile-40°C~85°C TATube2006e3Obsolete1 (Unlimited)24EAR99Matte Tin (Sn)IT CAN ALSO OPERATES AT 3V8542.32.00.412.7V~5.5VDUAL26015V1.27mm100GHz未说明DS201624不合格5.5V3/5V4.5V16Kb 2K x 8ASYNCHRONOUS0.055mASRAMParallel2KX83-STATE8100ns0.000001A16384 bit100 nsCOMMON2V17.9mm2.67mm7.5mmROHS3 Compliant无铅------------------
- IC, SRAM, 256KBIT, PARALLEL, 70NS N8-SOIC表面贴装28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)-28Volatile0°C~70°C TATube2002e4Obsolete3 (168 Hours)28EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)--4.5V~5.5VDUAL26015V-70GHz30CY6225628--5V-256Kb 32K x 8--SRAMParallel32KX83-STATE-70ns0.000005A-70 nsCOMMON-18.03mm-7.62mmROHS3 Compliant无铅11 Weeks表面贴装2.214806gMoBL®yes5V5V125mA50mA15b256 kbAsynchronous8b70°C2.794mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS6C62256A-70SINTR | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 28-SOIC (0.330, 8.38mm Width) | SRAM 256K, 4.5-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch SRAM | 对比 |
![]() | CY62256NLL-70SNXC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 28-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | IC, SRAM, 256KBIT, PARALLEL, 70NS N8-SOIC | 对比 |
![]() | CY62256VNLL-70SNXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 28-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | IC, SRAM, 256KBIT, PARALLEL 70NS NSOIC28 - More Details | 对比 |





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