DS25BR150TSD/NOPB备选型号: SN65LVDS20DRFT
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 类型
- 端子表面处理
- 应用
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 工作电源电流
- 电源电流
- 功率耗散
- 最大电源电流
- 传播延迟
- 接通延迟时间
- 逻辑功能
- 输出特性
- 差分输出
- 输入
- 输出极性
- 消耗功率
- 驱动程序位数
- 数据率(最大)
- 传输延迟-最大值
- 电源电压1-额定值
- 延迟时间
- 电容-输入
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- ECCN 代码
- 输出电流
- 比特数
- 电流源
- 输入数量
- 驱动器数量
- 延迟-最大
- IC REDRIVER LVDS 1CH 8WSONACTIVE (Last Updated: 1 day ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-WFDFN Exposed Pad8GENERAL PURPOSE-40°C~85°CTape & Reel (TR)e3yes活跃3 (168 Hours)8Buffer, ReDriverMatte Tin (Sn)LVDS2.08W3V~3.6VDUAL26013.3V0.5mmDS25BR15083.3V43mA35mA2.08W35mA520 ps520 psBufferDIFFERENTIALYESCML, LVDS, LVPECLCOMPLEMENTARY90W13.125Gbps0.465 ns3.3V350ps1.7pF800μm3mm3mm800μm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
- IC, LVDS REPETR/TRANSLTR 8-SON - More DetailsACTIVE (Last Updated: 4 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-WFDFN Exposed Pad8--40°C~85°CCut Tape (CT)e4yes活跃1 (Unlimited)8Buffer, ReDriverNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)LVDS160mW2.375V~3.6VDUAL26012.5V0.5mm65LVDS208--45mA403mW-630 ps630 psBuffer--DifferentialCOMPLEMENTARY--4Gbps--30ns-800μm2mm2mm750μm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SMD/SMTEAR99400μA135mA210.63 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DS25BR120TSD/NOPB | Texas Instruments | 接口 - 信号缓冲器、中继器、分离器 | 8-WFDFN Exposed Pad | IC REDRIVER LVDS 1CH 8WSON | 对比 |
![]() | SN65LVDS20DRFT | Texas Instruments | 接口 - 信号缓冲器、中继器、分离器 | 8-WFDFN Exposed Pad | IC, LVDS REPETR/TRANSLTR 8-SON - More Details | 对比 |



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