DS28E80Q U备选型号: 25AA010AT-I/OT
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
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- 内存大小
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- 内存格式
- 内存接口
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 触点镀层
- Current - Supply (Nom)
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- 时钟频率
- 组织结构
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
- 串行总线类型
- 耐力
- 写入周期时间 - 最大值
- 数据保持时间
- 电压 - 供电 (最小值)
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- IC EEPROM 1.9KBIT 1WIRE 6TDFN表面贴装6-WDFN Exposed Pad6Non-Volatile-40°C~85°C TAStrip2014活跃1 (Unlimited)8542.32.00.712.97V~3.63V未说明未说明DS28E80Serial2Kb 2K x 12μsEEPROM1-Wire®ROHS3 Compliant-----------------------------
- MICROCHIP - 25AA010AT-I/OT - EEPROM, AEC-Q100, 1 Kbit, 128 x 8 bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOT-23, 6 Pin(s)表面贴装SOT-23-66Non-Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)2007活跃1 (Unlimited)8542.32.00.512.5V2604025AA010ASPI, Serial1Kb 128 x 8100 nsEEPROMSPIROHS3 Compliant20 Weeks表面贴装Tin5mAe3yes6SMD/SMTEAR99DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLESDUAL10.95mm10MHz128X85ms1 kb0.000001ASPI1000000 Write/Erase Cycles5ms2001.8V1.8mm3.1mm1.3mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 25AA010AT-I/OT | Microchip Technology | 存储器 | SOT-23-6 | MICROCHIP - 25AA010AT-I/OT - EEPROM, AEC-Q100, 1 Kbit, 128 x 8 bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOT-23, 6 Pin(s) | 对比 |
| LE2464CXATBG | ON Semiconductor | 存储器 | 6-XFBGA, WLCSP | EEPROM Serial-2Wire 64K-bit 8Kx8 1.8V/2.5V/3.3V 6-Pin WLCSP T/R | 对比 | |
![]() | 93LC46BT-I/OT | Microchip Technology | 存储器 | SOT-23-6 | MICROCHIP - 93LC46BT-I/OT - EEPROM, Microwire, 1 Kbit, 64 x 16 bit, Seriell Microwire, 3 MHz, SOT-23, 6 Pin(s) | 对比 |




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