DSC2A01T0L备选型号: DTC114ECAT116
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 最高工作温度
- 附加功能
- 引脚数量
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 极性
- 功率耗散
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- 辐射硬化
- TRANS NPN 40V 0.05A MINI310 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICONMini3-G3-B40V200mV150°C TJTape & Reel (TR)2010e6Discontinued1 (Unlimited)3EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)8541.21.00.75200mWDUAL鸥翼未说明unknown未说明DSC2A01SingleAMPLIFIER150MHzNPNNPN40V50mA1000 @ 2mA 10V1μA200mV @ 1mA, 10mA150MHz150MHz40V50V15V1.1mm2.9mm1.5mm符合RoHS标准无铅-------------
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SST313 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON-50V--Tape & Reel (TR)1998e1活跃1 (Unlimited)3EAR99-8541.21.00.75200mWDUAL鸥翼260-10DTC114SingleSWITCHING--NPN - Pre-Biased300mV50mA30 @ 5mA 5V500nA300mV @ 500μA, 10mA-250MHz50V-----ROHS3 Compliant无铅yes150°CBUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1.03100mA50VNPN200mW250MHz10 k Ω100mA10 k Ω无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SST3904T116 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 40V 0.2A SST3 | 对比 | |
![]() | DSS30101L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 1A SOT23 | 对比 |
| DTC114ECAT116 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3 | 对比 |




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