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首页 全部分类 DSEI30-10AR vs APT30DQ60BCTG

DSEI30-10AR备选型号: APT30DQ60BCTG

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  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 最高工作温度
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  • 附加功能
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
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  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
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  • 最大浪涌电流
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 应用
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 二极管配置
  • 辐射硬化
  • IXYS
    DSEI30-10AR
    IXYS
    DIODE GEN 1KV 30A ISOPLUS247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    247
    SILICON
    1
    Tube
    2000
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    锡银铜
    150°C
    -40°C
    FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, SNUBBER DIODE
    8541.10.00.80
    未说明
    未说明
    2
    R-PSIP-T2
    不合格
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    750μA @ 1000V
    2.4V @ 36A
    ISOLATED
    30A
    -40°C~150°C
    210A
    1000V
    2.4V
    1kV
    30A
    1
    50 ns
    750μA
    1kV
    210A
    1kV
    210A
    50 ns
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT30DQ60BCTG
    Microsemi Corporation
    DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247
    25 Weeks
    Radial, Through Hole
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    2
    Tube
    -
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    175°C
    -55°C
    -
    -
    -
    -
    3
    R-PSFM-T3
    -
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    25μA @ 600V
    2.4V @ 30A
    -
    30A
    -55°C~175°C
    -
    -
    2.4V
    600V
    30A
    1
    30 ns
    25μA
    600V
    320A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    超快软恢复
    600V
    SINGLE
    30A
    APT30DQ60
    1 Pair Common Cathode
    无
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