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首页 全部分类 DSEI60-10A vs RHRG5060-F085

DSEI60-10A备选型号: RHRG5060-F085

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  • 恢复时间
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 应用
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • JEDEC-95代码
  • IXYS
    DSEI60-10A
    IXYS
    DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AD
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-2
    2
    SILICON
    1
    Tube
    2000
    yes
    活跃
    不适用
    2
    EAR99
    150°C
    -40°C
    8541.10.00.80
    1kV
    60A
    3
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    3mA @ 1000V
    189W
    60A
    2.3V @ 60A
    CATHODE
    65A
    -40°C~150°C
    540A
    1000V
    2.3V
    1kV
    60A
    1
    50 ns
    3mA
    1kV
    540A
    1kV
    500A
    50 ns
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    RHRG5060-F085
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 50A TO247
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-2
    -
    氮化硅
    1
    Tube
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    175°C
    -55°C
    -
    -
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    250μA @ 600V
    -
    -
    2.1V @ 50A
    -
    50A
    -55°C~175°C
    150A
    -
    1.67V
    600V
    50A
    1
    60 ns
    -
    600V
    -
    -
    150A
    45 ns
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    6.33g
    Automotive, AEC-Q101
    e3
    Tin (Sn)
    超快软恢复功率二极管
    自由旋转二极管
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T2
    TO-247AB
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