DSM80100M-7备选型号: DMG264H00R
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 极性
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 引脚数
- 最高工作温度
- 附加功能
- HTS代码
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 晶体管应用
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- Bipolar Transistors - BJT PNP Trans Dual 400mW Switching -80V21 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6SILICON80V-250mV-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)600mW鸥翼未说明未说明R-PDSO-G6PNPDual600mWPNP + Diode (Isolated)250mV500mA120 @ 10mA 1V100nA ICBO250mV @ 10mA, 100mA80V-80V-4V-500mA1.1mm3mm1.6mmROHS3 Compliant---------
- Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6SILICON50V--Tape & Reel (TR)2010-Discontinued1 (Unlimited)6EAR99-300mW鸥翼未说明未说明-NPN, PNPDual-1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)250mV500mA80 @ 5mA 10V / 50 @ 100mA 10V500nA 1μA250mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA50V---500mA---符合RoHS标准6150°CBUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 18541.21.00.95unknownDMG264H0SWITCHING47k Ω, 4.7k Ω47k Ω, 4.7k Ω
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FMB200 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose | 对比 | |
| FMBA56 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose | 对比 | |
![]() | DMG264H00R | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SOT-23-6 | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | 对比 |




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