您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 DSS8110Y-7 vs RN1906,LF(CT

DSS8110Y-7备选型号: RN1906,LF(CT

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 极性
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • Diodes Incorporated
    DSS8110Y-7
    Diodes Incorporated
    TRANS NPN 100V 1A SOT363
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    100V
    200mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    625mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    6
    Single
    SWITCHING
    100MHz
    NPN
    NPN
    100V
    1A
    100 @ 500mA 10V
    100nA ICBO
    200mV @ 100mA, 1A
    100MHz
    100V
    120V
    5V
    1A
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1906,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    -
    50V
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    200mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    80 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    50V
    -
    5V
    100mA
    -
    -
    符合RoHS标准
    US6
    6.010099mg
    NPN
    200mW
    50V
    250MHz
    4.7kOhms
    47kOhms
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Incorporated 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 对比
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Diodes Incorporated 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Trans GP BJT NPN/PNP 160V/150V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R 对比
RN1906,LF(CT RN1906,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor 对比