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首页 全部分类 DTA023EUBTL vs RN2310,LF

DTA023EUBTL备选型号: RN2310,LF

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  • 供应商器件包装
  • 质量
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  • 功率 - 最大
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 电阻基(R1)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    DTA023EUBTL
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F
    7 Weeks
    表面贴装
    SC
    85
    SILICON
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
    200mW
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F3
    -100mV
    PNP
    Single
    SWITCHING
    250mV
    100mA
    250MHz
    250MHz
    50V
    20
    -100mA
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN2310,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R
    16 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    -
    50V
    Cut Tape (CT)
    2014
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150°C
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    PNP
    Single
    -
    300mV
    100mA
    -
    -
    50V
    -
    -100mA
    符合RoHS标准
    -
    表面贴装
    USM
    28.009329mg
    -55°C
    100mW
    PNP - Pre-Biased
    120 @ 1mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    50V
    200MHz
    -50V
    -5V
    4.7 kOhms
    900μm
    2mm
    1.25mm
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