DTA043EUBTL备选型号: DTA143EUAT106
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- 终端形式
- JESD-30代码
- 输出电压
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- 元素配置
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 最小工作温度
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 功率耗散
- 最大集极截止电流
- 辐射硬化
- TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F13 Weeks表面贴装表面贴装SC-8585SILICON50VTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)3EAR99150°CBUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1200mWDUALFLATR-PDSO-F3-70mVPNPSingleSWITCHINGPNP - Pre-Biased150mV100mA20 @ 5mA 10V150mV @ 500μA, 5mA250MHz250MHz50V250MHz4.7 k Ω-100mA4.7 k ΩROHS3 Compliant无铅----------------
- TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT310 Weeks表面贴装表面贴装SC-70, SOT-3233-50VTape & Reel (TR)2008不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99150°CBUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1200mWDUAL鸥翼--PNPSingleSWITCHINGPNP - Pre-Biased300mV100mA30 @ 10mA 5V300mV @ 500μA, 10mA-250MHz50V250MHz4.7 k Ω-100mA4.7 k ΩROHS3 Compliant无铅e1yesTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)-55°C8541.21.00.75-50V260-100mA10DTA1433100mA50V200mW500nA无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DTA143EUAT106 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | 对比 | |
| RN2315TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R | 对比 | |
| DTA023EUBTL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | 对比 |


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