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DTA043EUBTL备选型号: DTA023EUBTL
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- 包装
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 输出电压
- 极性
- 元素配置
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 最高频率
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 最小直流增益（hFE）
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F13 Weeks表面贴装表面贴装SC-8585SILICON50VTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)3EAR99150°CBUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1200mWDUALFLATR-PDSO-F3-70mVPNPSingleSWITCHINGPNP - Pre-Biased150mV100mA20 @ 5mA 10V150mV @ 500μA, 5mA250MHz250MHz50V250MHz4.7 k Ω-100mA4.7 k ΩROHS3 Compliant无铅----- TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F7 Weeks表面贴装-SC85SILICON50VTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)3EAR99150°CBUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1200mWDUALFLATR-PDSO-F3-100mVPNPSingleSWITCHING-250mV100mA--250MHz250MHz50V---100mA-ROHS3 Compliant无铅未说明not_compliant未说明20
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA143EUAT106 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | 对比 |
 | RN2315TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | SC-70, SOT-323 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R | 对比 |
| DTA023EUBTL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | SC | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | 对比 |
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