DTA114ECAT116备选型号: TMBT3904,LM
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 操作温度
- 功率 - 最大
- 最大击穿电压
- TRANS PREBIAS PNP 200MW SST313 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3350VTape & Reel (TR)2001e1活跃1 (Unlimited)3EAR99150°C-55°CBUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 18541.21.00.75200mWDUAL鸥翼DTA1143SingleCOLLECTORSWITCHINGPNPPNP - Pre-Biased300mV50mA30 @ 5mA 5V500nA300mV @ 500μA, 10mA250MHz250MHz10 k Ω10 k Ω无ROHS3 Compliant---
- TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-312 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-50VTape & Reel (TR)2015-活跃1 (Unlimited)------320mW--------NPN300mV150mA100 @ 10mA 1V100nA ICBO300mV @ 5mA, 50mA-300MHz---符合RoHS标准150°C TJ320mW50V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DTC114ECAT116 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3 | 对比 | |
| TMBT3904,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3 | 对比 | |
| 2SC3325-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI | 对比 |


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