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DTA115EUAT106备选型号: DTA123EUAT106

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  • 终端
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  • 电压 - 额定直流
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  • 终端形式
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 通道数量
  • ROHM Semiconductor
    DTA115EUAT106
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
    10 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    8541.21.00.75
    -50V
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    -20mA
    10
    DTA115
    3
    100mA
    50V
    PNP
    Single
    200mW
    SWITCHING
    PNP - Pre-Biased
    300mV
    20mA
    82 @ 5mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    250MHz
    50V
    250MHz
    100 k Ω
    -100mA
    100 k Ω
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    DTA123EUAT106
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    150°C
    -55°C
    -
    -
    -50V
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    -100mA
    10
    DTA123
    3
    -
    -
    PNP
    Single
    200mW
    SWITCHING
    PNP - Pre-Biased
    -50V
    100mA
    20 @ 5mA 5V
    500nA
    300mV @ 500μA, 10mA
    250MHz
    50V
    250MHz
    2.2 k Ω
    -100mA
    2.2 k Ω
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -300mV
    1
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