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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.214363
10
¥0.202229
100
¥0.190782
500
¥0.179984
1000
¥0.169795
ROHM Semiconductor DTA123EUAT106
- 收藏
- 对比
DTA123EUAT106
2078-DTA123EUAT106
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-70, SOT-323
大陆
立即发货

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DTA123EUAT106详情
ROHM Semiconductor DTA123EUAT106重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-300mV
Number of Elements
1
hFEMin
20
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
DTA123
引脚数量
3
极性
PNP
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
-50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
2.2 k Ω
连续集电极电流
-100mA
电阻-发射极基极(R2)
2.2 k Ω
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DTA123EUAT106拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor






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