DTB123YCT116备选型号: 2SA1313-Y,LF

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 极性
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 最小工作温度
  • 功率 - 最大
  • 增益带宽积
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    50V
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    150°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5
    8541.21.00.75
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    10
    3
    PNP
    Single
    SWITCHING
    PNP - Pre-Biased
    300mV
    500mA
    56 @ 50mA 5V
    500nA
    300mV @ 2.5mA, 50mA
    200MHz
    50V
    200MHz
    2.2 k Ω
    10 k Ω
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin S-Mini Embossed T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    -
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2014
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    150°C
    -
    -
    200mW
    -
    -
    -
    -
    -
    PNP
    -
    -
    PNP
    250mV
    500mA
    120 @ 100mA 1V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 100mA
    -
    50V
    200MHz
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    S-Mini
    -100mV
    150°C TJ
    -55°C
    200mW
    200MHz
    50V
    -50V
    -5V
    -500mA
    1.1mm
    2.9mm
    1.5mm
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