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DTC014EUBTL备选型号: RN1306,LF

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  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
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  • 质量
  • 最大集极截止电流
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    DTC014EUBTL
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
    13 Weeks
    SC-85
    表面贴装
    表面贴装
    3
    1
    2015
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    -55°C
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
    200mW
    DUAL
    FLAT
    50mV
    NPN
    Single
    SWITCHING
    NPN - Pre-Biased
    150mV
    50mA
    35 @ 5mA 10V
    150mV @ 500μA, 5mA
    250MHz
    250MHz
    50V
    250MHz
    10 k Ω
    100mA
    10 k Ω
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1306,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R
    12 Weeks
    SC-70, SOT-323
    表面贴装
    表面贴装
    3
    50V
    2014
    Cut Tape (CT)
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150°C
    -55°C
    -
    100mW
    -
    -
    -
    NPN
    Single
    -
    NPN - Pre-Biased
    50V
    100mA
    80 @ 10mA 5V
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    -
    50V
    250MHz
    4.7 k Ω
    100mA
    47 k Ω
    符合RoHS标准
    -
    -
    28.009329mg
    500nA
    50V
    5V
    900μm
    2mm
    1.25mm
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