DTC014TEBTL备选型号: DTC043EEBTL
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 极性
- 元素配置
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- JESD-30代码
- 输出电压
- 电阻-发射极基极(R2)
- TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F13 Weeks表面贴装表面贴装SC-89, SOT-4903SILICON50VTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)3EAR99150°C150mWDUALFLATNPNSingleSWITCHINGNPN - Pre-Biased150mV100mA100 @ 5mA 10V500nA ICBO150mV @ 500μA, 5mA250MHz250MHz50V5V10 k Ω100mAROHS3 Compliant无铅----
- TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F13 Weeks表面贴装表面贴装SC-89, SOT-490-SILICON50VTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)3EAR99150°C150mWDUALFLATNPNSingleSWITCHINGNPN - Pre-Biased150mV100mA20 @ 5mA 10V-150mV @ 500μA, 5mA250MHz250MHz50V-4.7 k Ω100mAROHS3 Compliant无铅BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1R-PDSO-F350mV4.7 k Ω
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DTC043EEBTL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-89, SOT-490 | TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F | 对比 | |
| DTC023YEBTL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-89, SOT-490 | TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F | 对比 |


哦! 它是空的。