DTC044TUBTL备选型号: DTC114EUBTL
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- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 极性
- 元素配置
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- RoHS状态
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最小工作温度
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 晶体管应用
- 转换频率
- 频率转换
- 电阻-发射极基极(R2)
- 辐射硬化
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F7 Weeks表面贴装表面贴装SC-858550VTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)EAR99150°C200mW未说明not_compliant未说明NPNSingleNPN - Pre-Biased150mV60mA100 @ 5mA 10V500nA ICBO150mV @ 500μA, 5mA250MHz50V5V47 k Ω60mAROHS3 Compliant无铅---------------
- TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F10 Weeks表面贴装表面贴装SC-85350VTape & Reel (TR)2009不用于新设计1 (Unlimited)EAR99150°C200mW260-10NPNSingleNPN - Pre-Biased300mV50mA30 @ 5mA 5V500nA300mV @ 500μA, 10mA-50V-10 k Ω100mAROHS3 Compliant无铅e1yes3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)-55°CBUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1DUALFLATDTC1143SWITCHING250MHz250MHz10 k Ω无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1306,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R | 对比 | |
| DTC114YUAT106 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | 对比 | |
| DTC014YUBTL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-85 | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F | 对比 |


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