DTC044TUBTL备选型号: RN1306,LF
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- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
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- 质量
- 最小工作温度
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 电阻-发射极基极(R2)
- 高度
- 长度
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- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F7 Weeks表面贴装表面贴装SC-858550VTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)EAR99150°C200mW未说明not_compliant未说明NPNSingleNPN - Pre-Biased150mV60mA100 @ 5mA 10V500nA ICBO150mV @ 500μA, 5mA250MHz50V5V47 k Ω60mAROHS3 Compliant无铅--------
- Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R12 Weeks表面贴装表面贴装SC-70, SOT-323350VCut Tape (CT)2014活跃1 (Unlimited)-150°C100mW---NPNSingleNPN - Pre-Biased50V100mA80 @ 10mA 5V500nA300mV @ 250μA, 5mA-50V5V4.7 k Ω100mA符合RoHS标准-28.009329mg-55°C250MHz50V47 k Ω900μm2mm1.25mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1306,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R | 对比 | |
| DTC114YUAT106 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | 对比 | |
| DTC014YUBTL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-85 | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F | 对比 |


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