DTD143ECT216备选型号: DTD143TKT146
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- 端子表面处理
- 最高工作温度
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- HTS代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- 无铅
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SST37 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3350VTape & Reel (TR)2005e1yes不用于新设计1 (Unlimited)3SMD/SMTEAR99锡银铜150°C-55°CBUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 18541.21.00.75200mWDUAL鸥翼26010DTD1433不合格NPNSingle200mWSWITCHINGNPN - Pre-Biased300mV500mA47 @ 50mA 5V500nA300mV @ 2.5mA, 50mA200MHz200MHz4.7 k Ω500mA4.7 k Ω无SVHCROHS3 Compliant------
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3340VTape & Reel (TR)2012e1yes不用于新设计1 (Unlimited)3-EAR99-150°C-55°CBUILT-IN BIAS RESISTOR8541.21.00.75200mWDUAL鸥翼26010DTD1433-NPNSingle200mWSWITCHINGNPN - Pre-Biased40V500mA100 @ 50mA 5V500nA ICBO300mV @ 2.5mA, 50mA200MHz200MHz4.7 k Ω500mA--ROHS3 Compliant50V500mA40V5V无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DSC2002R0L | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Sc, Small Signal Bipolar Transistor / NPN Single, General Purpose, Vceo: 50V, IC: 500MA | 对比 |
| DTD143TKT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | 对比 | |
![]() | DSC200200L | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2.9x2.8mm | 对比 |



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