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首页 全部分类 DVR5V0W-7 vs SBC847CDW1T1G

DVR5V0W-7备选型号: SBC847CDW1T1G

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 基本部件号
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最高频率
  • 频率转换
  • Diodes Incorporated
    DVR5V0W-7
    Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT Complex Array
    17 Weeks
    表面贴装
    SOT-363
    6
    6.010099mg
    18V
    500mV
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    18V
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    1A
    40
    6
    NPN
    Single
    100MHz
    18V
    1A
    100MHz
    18V
    45V
    5V
    150
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    SBC847CDW1T1G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R
    8 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -
    45V
    600mV
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    380mW
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    6
    NPN
    -
    -
    45V
    100mA
    100MHz
    -
    50V
    6V
    -
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    Automotive, AEC-Q101
    BC847CD
    SEPARATE, 2 ELEMENTS
    AMPLIFIER
    无卤素
    2 NPN (Dual)
    420 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    600mV @ 5mA, 100mA
    100MHz
    100MHz
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