ECH8660-TL-H备选型号: NTMD6N04R2G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8-Pin ECH T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    33 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    45 ns
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1.5W
    8
    Dual
    N and P-Channel
    59m Ω @ 2A, 10V
    无卤素
    240pF @ 10V
    4.4nC @ 10V
    30V
    4.5A
    20V
    逻辑电平门
    900μm
    2.9mm
    2.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.5W
    8
    Dual
    2 N-Channel (Dual)
    34m Ω @ 5.8A, 10V
    -
    900pF @ 32V
    30nC @ 10V
    40V
    4.6A
    20V
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    YES
    SILICON
    8
    鸥翼
    NTMD6N04
    增强型MOSFET
    2W
    15 ns
    1.29W
    SWITCHING
    3V @ 250μA
    55ns
    35 ns
    0.034Ohm
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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