Diodes Incorporated ZXMN3F30FHTA
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ZXMN3F30FHTA
671-ZXMN3F30FHTA
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
--最小包装量--
ZXMN3F30FHTA详情
Diodes Incorporated ZXMN3F30FHTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
950mW Ta
Turn Off Delay Time
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
47mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.4W
接通延迟时间
1.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
47m Ω @ 3.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
318pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.7nC @ 10V
上升时间
2.6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2.6 ns
连续放电电流(ID)
4.6A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
高度
1.02mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXMN3F30FHTA拓展信息
Diodes Incorporated
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