ECH8661-TL-H备选型号: ECH8659-TL-W
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin ECH T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)2 Weeks表面贴装8-SMD, Flat Lead87A 5.5A150°C TJTape & Reel (TR)2010e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1.5W8Dual1.5W13 nsN and P-Channel24m Ω @ 3.5A, 10V无卤素710pF @ 10V11.8nC @ 10V48ns30V36 ns5.5A20V逻辑电平门900μm2.9mm2.3mm无ROHS3 Compliant无铅------------------
- MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)23 Weeks表面贴装8-SMD, Flat Lead-2150°C TJTape & Reel (TR)2017e6yes活跃1 (Unlimited)-Tin/Bismuth (Sn/Bi)1.3W----2 N-Channel (Dual)24m Ω @ 3.5A, 10V-710pF @ 10V11.8nC @ 10V-30V-7A-Logic Level Gate, 4V Drive----ROHS3 Compliant无铅YESSILICON8防静电未说明not_compliant未说明R-XDSO-F8SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.3WSWITCHING2.6V @ 1mA7A0.024Ohm40A30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ECH8659-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 | 对比 |
| ECH8659-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 | 对比 |



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