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首页 全部分类 ECH8695R-TL-W vs EMH2418R-TL-H

ECH8695R-TL-W备选型号: EMH2418R-TL-H

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • ON Semiconductor
    ECH8695R-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    19.7 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.4W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
    Dual
    300 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    9.1m Ω @ 5A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    10nC @ 4.5V
    320ns
    24V
    22.3 μs
    11A
    12.5V
    24V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    900μm
    2.9mm
    2.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    EMH2418R-TL-H
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 24V 9A 8-Pin SOT-383FL
    ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
    9 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    17.5 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.3W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
    -
    120 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    15m Ω @ 4A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    4.4nC @ 4.5V
    170ns
    24V
    22.6 μs
    9A
    12V
    -
    -
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
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